DB-FIB双束聚焦离子束显微镜

DB-FIB双束聚焦离子束显微镜

专业DB-FIB双束聚焦离子束显微镜服务,提供高精度TEM薄片制备、芯片电路修复、FA热点截面分析及定点加工。覆盖Si、SiC、GaN等材料,满足先进制程芯片失效分析与工艺优化的需求。

服务内容/范围及检测项目

a. TEM薄片样品切片

双束聚焦离子束显微镜 (DB-FIB) 的一个重要应用就是用来制备透射电子显微镜(TEM)的超薄样品。汇策海沣检测针对该应用可以提供如下检测项目:

检测项目报价单位样品类型
硅(Si)基样品XS(截面)制样颗(ea)14nm及以下先进制程芯片;28nm、40nm、 55nm及以上制程芯片
硅(Si)基样品PV (平面) 制样颗(ea)14nm及以下先进制程芯片;28nm、40nm、 55nm及以上制程芯片
非硅基样品XS(截面)制样小时(h)除硅基以外的其它类型样品,包括砷化镓 (GaAs),氮化镓 (GaN),碳化硅 (SiC)等
非硅基样品PV (平面) 制样小时(h)除硅基以外的其它类型样品,包括砷化镓 (GaAs),氮化镓 (GaN),碳化硅 (SiC)等
特殊制样小时(h)各种新型材料样品,包括锂电材料、石墨烯电极材料等

b. FA热点截面分析

检测项目报价单位样品类型
FA热点截面分析(包括OBIRCH等不同方法抓取的热点,广电可提供包括热点抓取在内的一站式检测)小时(h)半导体类:Wafer、IC、元器件、MEMS、激光器等;

c. 常规截面加工

检测项目报价单位样品类型
定点截面加工小时(h)

半导体类:Wafer、IC、元器件、PCB、MEMS、激光器等;

其它非半导体类型的样品

非定点截面加工小时(h)

半导体类:Wafer、IC、元器件、PCB、MEMS、激光器等;

其它非半导体类型的样品

测试周期

常规测试周期为3个自然日。针对特殊要求可以提供48h、24h、12h的不同响应时效报价。

我们的优势

汇策海沣检测团队成员拥有先进制程晶圆制造的相关经验,坚持以客户为中心,致力于为客户提供准确、及时、周到的检测服务。我们拥有国内最大规模的国有第三方检测平台背景,具备健全的管理机制和完善的全流程检测分析能力,能够为客户提供从热点定位、TEM制样到数据分析的专案整案高时效权威分析服务,精准助力客户解决各类失效分析与工艺开发难题。

常见问题

检测样品要求:

无水,样品不能含有液体成分;离子束辐照下稳定(部分有机物样品无法检测);尺寸要求长宽高一般不超过10cm*10cm*5cm

免费获取认证方案

注意:每日仅限20个名额

今日已申请 8人
张先生 138****5889 刚刚获取认证方案
李女士 159****5393 3分钟前获取认证方案
王经理 186****9012 7分钟前获取认证方案
赵总 135****7688 12分钟前获取认证方案
刘先生 139****7889 18分钟前获取认证方案
陈女士 158****1887 25分钟前获取认证方案
杨经理 187****6696 30分钟前获取认证方案
周总 136****0539 35分钟前获取认证方案
今日还剩 12个名额
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