服务介绍
集成电路失效分析是通过系统性检测与诊断技术，定位芯片功能异常或参数劣化根本原因的关键学科。随着制程节点不断微缩和三维集成技术（3D IC/Chiplet）的普及，集成电路面临栅氧击穿、电迁移、热载流子效应以及TSV互连失效等新型挑战。该分析综合运用电性测试（IV曲线、Iddq）、显微成像（SEM/FIB）、成分分析（EDS/TOF-SIMS）和热激光等先进手段，精确解析失效机理（设计缺陷、工艺波动或ESD/EOS损伤），为产品良率提升、可靠性验证及知识产权维权提供关键技术支撑，对高端芯片国产化进程中的质量突围具有战略意义。
服务范围
集成电路、混合集成电路
服务内容
提供集成电路的失效分析服务，为客户寻找集成电路失效的原因，方便客户通过集成电路失效原因来优化产品设计、把控产品质量、规范产品使用环境等。
检测标准
GJB8897-2017军用电子元器件失效分析要求与方法
GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
GJB33A-1997半导体分立器件总规范
GJB597A-1996半导体集成电路总规范
GJB536B-2011电子元器件质量保证大纲
检测项目
● 形貌分析：体视显微镜检查、⾦相显微镜检查、X射线检查、SAT声学扫描显微镜检查、SEM扫描电镜检查、TEM透射电镜检查、FIB聚焦离子束切割；
● 成分检测：能谱分析EDS、二次离子质谱分析SIMS、X射线光电子能谱分析XPS、红外分析FTIR、光谱、色谱、质谱等；
● 电性分析：I-V曲线测试、半导体参数测试、LCR参数测试、集成电路参数测试、频谱分析测试、ESD参数测试、机械探针测试、绝缘耐压测试等；
● 开封制样：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片、IC取芯片、芯片去层、衬底检查、DB FIB等；
● 缺陷定位：红外热像、电压衬度、InGaAs热点定位、OBIRCH热点定位、Thermal热点定位、PN结染⾊、弹坑检测等。
相关资质
本实验室已通过中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可，依据ISO/IEC 17025标准建立了全面的质量管理体系。针对集成电路失效分析的关键项目，如显微形貌观察、微区成分分析及电性测试等，我们的技术能力和数据准确性获得了国家权威机构的认证，确保分析结论的科学、公正与可追溯。
测试周期
单项测试1-3个工作日左右，整体分析按复杂程度不同为5-12个工作日左右
服务背景
集成电路失效分析服务是伴随半导体技术演进和产业升级发展起来的关键支撑技术。在摩尔定律持续推进和异质集成技术兴起的背景下，先进制程芯片（7nm及以下）和复杂封装（Chiplet/3D IC）面临着电迁移、热载流子效应、介质击穿、TSV互连等新型失效挑战，而汽车电子、人工智能等高端应用场景对芯片可靠性提出了零缺陷要求。该服务通过整合电学测试、显微表征、材料分析等先进手段，精准定位设计缺陷、工艺波动或应用应力导致的失效根源，为芯片研发迭代、量产良率提升、供应链质量管控及知识产权保护提供关键技术支撑，已成为保障我国集成电路产业安全发展和实现高端芯片自主可控的重要技术保障。
我们的优势
汇策海沣检测深耕装备电子元器件失效分析与故障归零，集聚一大批电子元器件失效分析专业人员，积累了大量的失效分析经验，为电子元器件提供专业化的失效分析。
汇策海沣检测具备CMA认证、ISO 17025（CNAS）认可，拥有完善的质量保证措施，积极参加各类能力验证项目，确保检测结果公正准确、可追溯。
