服务范围
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。
检测标准
l AEC-Q101分立器件认证
l MIL-STD-750半导体器件试验⽅法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
l AQG324功率模块⻋规认证
检测项目
| 试验类型 | 试验项⽬ |
| 静态参数 | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 动态参数 | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他参数 | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相关资质
实验室已获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可，这标志着我们的测试能力、设备校准及管理体系均符合国际标准。我们致力于为功率半导体行业提供精准、可追溯的全参数测试服务，确保每一份数据报告的权威性。
服务背景
功率器件作为新能源汽车、智能电网、工业电机等领域的核心，其技术正加速演进。一方面，硅基IGBT的性能瓶颈不断被突破，另一方面，以SiC、GaN为代表的第三代半导体功率器件正快速从实验室走向商业应用。这些新型器件通常具有更高的电压等级、更快的开关速度，对测试系统的精度、带宽和安全性提出了前所未有的挑战。在研发周期与成本的双重压力下，获得全面、准确的器件全参数特性，成为设计人员验证仿真模型、优化驱动电路、评估系统效率的关键前提。
我们的优势
汇策海沣检测积极布局下一代功率半导体测试能力，引进了国际先进的动静态参数测试系统，能够覆盖从低压到高压、从慢速到超快开关的全系列器件测试需求。我们为功率半导体产业链上下游企业提供从晶圆到模块的全参数检测服务。更进一步，我们构筑了检测认证与分析一体化的技术平台，当测试中发现异常时，可无缝衔接失效分析服务，深入探究失效机理，为客户提供从“是什么”到“为什么”的完整解决方案，真正指导产品设计与工艺改进，加速高性能功率器件的国产化进程。
