功率器件失效分析

服务介绍

功率器件失效分析是针对MOSFET、IGBT、SiC/GaN等器件在高电压、大电流、高温环境下因电-热-机械应力耦合作用引发的失效，通过电学测试（如静态/动态参数、失效复现）、无损检测（X-ray、热成像）、破坏性分析（开封、剖面、材料表征）等手段定位失效根源（如栅氧击穿、热失控、封装分层），并结合行业标准（AEC-Q101、JEDEC）和仿真工具提出设计优化与工艺改进方案，以提升器件在新能源、电动汽车等高压场景中的可靠性。

服务内容

提供功率器件失效分析服务，为客户寻找器件失效的原因，方便客户通过器件失效原因来优化产品设计、把控产品质量、规范产品使用环境等。

服务范围

MOSFET、IGBT等功率器件或模组

检测标准

l  GJB8897-2017军用电子元器件失效分析要求与方法

l  GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序

l  GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法

l  GJB33A-1997半导体分立器件总规范

l  GJB597A-1996半导体集成电路总规范

检测项目

● 形貌分析：体视显微镜检查、⾦相显微镜检查、X射线检查、SAT声学扫描显微镜检查、SEM扫描电镜检查、TEM透射电镜检查、FIB聚焦离子束切割；

● 成分检测：能谱分析EDS、二次离子质谱分析SIMS、X射线光电子能谱分析XPS、红外分析FTIR、光谱、色谱、质谱等；

● 电性分析：I-V曲线测试、半导体参数测试、LCR参数测试、集成电路参数测试、频谱分析测试、ESD参数测试、机械探针测试、绝缘耐压测试等；

● 开封制样：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片、IC取芯片、芯片去层、衬底检查、DB FIB等；

● 缺陷定位：红外热像、电压衬度、InGaAs热点定位、OBIRCH热点定位、Thermal热点定位、PN结染⾊、弹坑检测等。

相关资质

实验室具备中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可资质，依据ISO/IEC 17025标准建立并运行质量管理体系。我们的功率器件失效分析测试项目，包括电性分析、无损检测、破坏性物理分析等，均已获得国家认可，确保了检测方法的科学性与结果的准确性，为分析结论提供权威保障。

测试周期

单项测试1-3个工作日左右，整体分析按复杂程度不同为5-10个工作日左右

服务背景

受益于国产替代趋势，国内功率器件厂商迎来了空前的发展机会。然而，在新能源、电动汽车等高功率密度应用场景中，器件面临更严苛的电-热-机械应力耦合挑战，栅氧击穿、热失控、封装分层等失效风险成为制约产品可靠性和市场竞争力的核心痛点。厂商迫切需要深入剖析失效机理，在设计、工艺、量产及封装等关键阶段进行精准改进，以加速产品迭代、快速占领市场。

我们的优势

  汇策海沣检测深耕功率半导体及装备电子元器件失效分析与故障归零领域，团队由经验丰富的失效分析专业人员组成，精通MOSFET、IGBT、SiC/GaN等器件的失效机理与分析方法。我们不仅拥有强大的技术实力，更积累了数千例功率器件失效分析案例库，能精准定位失效根源，为您提供从设计优化到工艺改进的一站式解决方案，有效提升产品在高压场景下的可靠性。

  汇策海沣检测具备CMA认证、ISO 17025（CNAS）认可，拥有完善的质量保证措施，积极参加各类能力验证项目，确保检测结果公正准确、可追溯。