TEM透射电子显微镜拍摄分析

TEM透射电子显微镜拍摄分析

专业TEM透射电子显微镜拍摄分析服务,涵盖明/暗场像、高分辨像、STEM-HAADF及原子级EDS能谱。具备7nm及以下先进制程FIB-TEM制样能力,助力芯片研发与材料科学研究。点击咨询!

服务内容

TEM(明场像、离轴暗场像、中心暗场像、高分辨像、弱束暗场像);STEM(HAADF像、DF像、BF像、EDS能谱、iDPC像);衍射(选区衍射、会聚束衍射、纳米束衍射)

服务范围

芯片类(晶圆厂、半导体设备厂、芯片设计公司等);材料类(高校、科研院所以及材料研发企业)。

测试周期

常规5-7个工作日。

服务背景

随着国外加强技术封锁,国内高科技企业越来越注重芯片的自主研发能力,随之也带动了半导体设备的国产化热潮。随着芯片制程的缩小,芯片研发与半导体设备研发越来越离不开TEM这样的显微分析工具;透射电子显微镜对于材料研究和开发具有不可替代的重要作用。它可以提供材料的微观结构信息,如晶体结构、缺陷、元素种类及含量等,有助于分析材料的性能和行为。能够帮助研究材料的相变、扩散等过程,对材料的设计和改进有指导意义。

我们的优势

汇策海沣检测聚焦TEM分析测试技术,拥有业界领先的专家团队及先进的TEM分析设备(Talos F200X G2)。能针对各类客户的研发需求,提供相应的TEM分析测试方案。我司具备7nm及以下先进制程的FIB-TEM分析测试能力。

案例分享

TEM透射电子显微镜拍摄分析

4nm FinFet HRTEM图片

TEM透射电子显微镜拍摄分析

SrTiO3-HRSTEM原子像以及原子级EDS分析

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